| APT11N80BC3G | |
|---|---|
| Artikelnummer | APT11N80BC3G |
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| Verfügbare Menge | 2651 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von APT11N80BC3G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | APT11N80BC3G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Microsemi | Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 2651 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 156W (Tc) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
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| Zugehörige Teile für APT11N80BC3G | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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