| APT11F80S | |
|---|---|
| Artikelnummer | APT11F80S |
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK |
| Verfügbare Menge | 2626 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| APT11F80S Price |
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| Technische Information von APT11F80S | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | APT11F80S | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Microsemi | Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 2626 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D3Pak | Serie | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 6A, 10V | Verlustleistung (max) | 337W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2471pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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