| APT11N80KC3G | |
|---|---|
| Artikelnummer | APT11N80KC3G |
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 |
| Verfügbare Menge | 2631 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von APT11N80KC3G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | APT11N80KC3G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Microsemi | Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 2631 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 [K] | Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V | Verlustleistung (max) | 156W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
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| Zugehörige Teile für APT11N80KC3G | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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