APT1201R4BFLLG
Artikelnummer APT1201R4BFLLG
Hersteller Microsemi
Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
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Technische Information von APT1201R4BFLLG
Hersteller-Teilenummer APT1201R4BFLLG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Microsemi Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 2986 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] Serie POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 4.5A, 10V Verlustleistung (max) 300W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2030pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)
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