Industrieller und erweiterter Test DDR SDRAM

Insignis 'DDR SDRAM-Bausteine ​​garantieren den Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen aufgrund ihres proprietären erweiterten Testflusses

Der Hochgeschwindigkeits-CMOS-DDR-Synchron-DRAM wird mit Insignis & rsquo; proprietärer erweiterter Testablauf, um Frühausfälle zu vermeiden und erstklassige Qualität und langfristige Zuverlässigkeit für den industriellen Einsatz sicherzustellen. Er hat eine synchrone Schnittstelle (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CK registriert). Datenausgaben treten an beiden ansteigenden Flanken von CK auf und Lese- und Schreibzugriffe auf das SDRAM sind burst-orientiert; Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und werden für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fortgesetzt. Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bankaktivierungsbefehls, auf den ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.

Die Vorrichtung stellt programmierbare Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 2, 4 oder 8 bereit. Eine Auto-Vorladefunktion kann aktiviert werden, um eine selbstgetaktete Zeilenvorladung bereitzustellen, die am Ende der Burst-Sequenz eingeleitet wird. Die Aktualisierungsfunktionen, entweder automatische oder Selbstaktualisierung, sind einfach zu verwenden. Darüber hinaus verfügt 512 Mb DDR SDRAM über eine programmierbare DLL-Option.

Mit einem programmierbaren Modusregister und einem erweiterten Modusregister kann das System die am besten geeigneten Modi auswählen, um seine Leistung zu maximieren. Diese Geräte sind für Anwendungen geeignet, die eine hohe Speicherbandbreite erfordern, was zu einem Gerät führt, das besonders für Hochleistungs-Hauptspeicher- und Grafikanwendungen geeignet ist.