APT11GF120BRDQ1G
Artikelnummer APT11GF120BRDQ1G
Hersteller Microsemi
Beschreibung IGBT 1200V 25A 156W TO247
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Technische Information von APT11GF120BRDQ1G
Hersteller-Teilenummer APT11GF120BRDQ1G Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Microsemi Beschreibung IGBT 1200V 25A 156W TO247
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 2881 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 8A
Testbedingung 800V, 8A, 10 Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 7ns/100ns
Schaltenergie 300µJ (on), 285µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]
Serie - Leistung - max 156W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Eingabetyp Standard IGBT-Typ NPT
Gate-Ladung 65nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 24A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 25A APT11GF120BRDQ1G Einzelheiten PDF [English] APT11GF120BRDQ1G PDF - EN.pdf
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