1N5822T/R
Artikelnummer 1N5822T/R
Hersteller EIC SEMICONDUCTOR INC.
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
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Technische Information von 1N5822T/R
Hersteller-Teilenummer 1N5822T/R Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller EIC Semiconductor, Inc. Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
Paket / Fall DO-201AD Verfügbare Menge 2500 pcs
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 525 mV @ 3 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 40 V
Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse DO-201AD
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie -
Produktstatus Active Verpackung / Gehäuse DO-201AD, Axial
Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 125°C
Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 mA @ 40 V
Strom - Richt (Io) 3A Kapazität @ Vr, F -
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