1N5822HB0G
Artikelnummer 1N5822HB0G
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
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Technische Information von 1N5822HB0G
Hersteller-Teilenummer 1N5822HB0G Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Taiwan Semiconductor Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
Paket / Fall DO-201AD Verfügbare Menge 2640 pcs
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 525 mV @ 3 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 40 V
Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse DO-201AD
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101
Produktstatus Active Verpackung / Gehäuse DO-201AD, Axial
Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 125°C
Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500 µA @ 40 V
Strom - Richt (Io) 3A Kapazität @ Vr, F 200pF @ 4V, 1MHz
Grundproduktnummer 1N5822 1N5822HB0G Einzelheiten PDF [English] 1N5822HB0G PDF - EN.pdf
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