| 1N5822HA0G | |
|---|---|
| Artikelnummer | 1N5822HA0G |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD |
| Verfügbare Menge | 2663 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| Datenblätter | 1N5822HA0G.pdf |
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| 1N5822HA0G Price |
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| Technische Information von 1N5822HA0G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | 1N5822HA0G | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor | Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD |
| Paket / Fall | DO-201AD | Verfügbare Menge | 2663 pcs |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 525 mV @ 3 A | Spannung - Sperr (Vr) (max) | 40 V |
| Technologie | Schottky | Supplier Device-Gehäuse | DO-201AD |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Produktstatus | Active | Verpackung / Gehäuse | DO-201AD, Axial |
| Paket | Tape & Box (TB) | Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Through Hole | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 500 µA @ 40 V |
| Strom - Richt (Io) | 3A | Kapazität @ Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | 1N5822 | 1N5822HA0G Einzelheiten PDF [English] | 1N5822HA0G PDF - EN.pdf |
| Herunterladen | 1N5822HA0G Einzelheiten PDF | ||
| 1N5822HA0G-Lager | 1N5822HA0G Preis | 1N5822HA0G-Elektronik | |||
| 1N5822HA0G-Komponenten | 1N5822HA0G Inventar | 1N5822HA0G Digikey | |||
| Lieferant 1N5822HA0G | 1N5822HA0G online bestellen | Anfrage 1N5822HA0G | |||
| 1N5822HA0G-Bild | 1N5822HA0G Bild | 1N5822HA0G PDF | |||
| 1N5822HA0G Datenblatt | 1N5822HA0G Datenblatt herunterladen | Hersteller Taiwan Semiconductor | |||
| Zugehörige Teile für 1N5822HA0G | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
| 1N5822RLG | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL | onsemi | |||
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1N5822F SS34 | 1N5822F SS34 Original | Original | ||
| 1N5822HB0G | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | Taiwan Semiconductor Corporation | |||
| 1N5822/54 | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | |||
| 1N5822T/R | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | EIC SEMICONDUCTOR INC. | |||
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1N5822G | DIODE SCHOTTKY B | Microchip Technology | ||
| 1N5822US | DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF | Microchip Technology | |||
| 1N5822/TR | DIODE SCHOTTKY 40V 3A | Microchip Technology | |||
| 1N5822H | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | Taiwan Semiconductor Corporation | |||
| 1N5822/B34 | ON SMD | ON | |||
| 1N5822G | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL | onsemi | |||
| 1N5822/54 | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| 1N5822RL | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL | onsemi | |||
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1N5822US.TR | 3A, 40V SCHOTTKY SM TR | Semtech Corporation | ||
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1N5822U01B | ST | |||
| 1N5822HR0G | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | TSC (Taiwan Semiconductor) | |||
| 1N5822/SS34 | TOSHIBA/G SMA | TOS | |||
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1N5822US/TR | DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF | Microchip Technology | ||
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1N5822RL | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD | STMicroelectronics | ||
| 1N5822/SS24 | TOSHIBA/GC SMA | TOSHIBA | |||
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