1N5822/SS34
Artikelnummer 1N5822/SS34
Hersteller TOS
Beschreibung TOSHIBA/G SMA
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Technische Information von 1N5822/SS34
Hersteller-Teilenummer 1N5822/SS34 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Beschreibung TOSHIBA/G SMA
Paket / Fall 788 Verfügbare Menge 1585 pcs
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Produktmodell

1N5822/SS34

Einführung

Allzweck-Schottky-Diode für Gleichrichtung und Schaltanwendungen

Marke und Hersteller

TOSHIBA

Merkmale

Niedriger Durchlassspannungsabfall, hohe Stromfähigkeit, geringer Leckstrom, hohe Überspannungsfähigkeit, hohe Schaltgeschwindigkeit

Produktleistung

Geeignet für Hochfrequenzanwendungen, ideal für Niederspannungs-Hochfrequenzwechselrichter, Freilauf- und Polungsschutzanwendungen

Technische Spezifikationen

Schottky-Barriertyp, kontinuierliche Rückwärts-Spannung: 40V, Durchlassstrom: 3A

Abmessungen, Form und Verpackung

DO-201AD (DO-27) axialer Anschluss, Standardindustrie-Umrisse, Groß- oder Tape-and-Reel-Verpackung für automatische Einfügung

Qualität und Zuverlässigkeit

Hochwertige Konstruktion, stabile Leistung über den Lebenszyklus

Produktvorteile

Effizienzsteigerung in Schaltungen aufgrund niedriger Durchlassspannung, minimale Leistungsverluste

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähiges Leistungs-zu-Kosten-Verhältnis, zuverlässige Wahl gegenüber anderen Dioden auf dem Markt

Kompatibilität

Allgemeine Verwendung in mehreren Schaltungstopologien, kompatibel mit einer Vielzahl von Schaltungen und Designs

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den geltenden Branchenstandards und Vorschriften für elektronische Komponenten

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebsdauer, konzipiert unter Berücksichtigung der Umweltauswirkungen

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Stromversorgung, Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, industrielle Ausrüstung

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