MRF5812R2
Artikelnummer MRF5812R2
Hersteller Microsemi
Beschreibung RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
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Technische Information von MRF5812R2
Hersteller-Teilenummer MRF5812R2 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Microsemi Beschreibung RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 7813 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 18V Transistor-Typ NPN
Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie -
Leistung - max 1.25W Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB @ 500MHz Befestigungsart Surface Mount
Gewinnen 15.5dB Frequenz - Übergang 5GHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max) 200mA
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