IXSP15N120B
Artikelnummer IXSP15N120B
Hersteller IXYS Corporation
Beschreibung IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
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Technische Information von IXSP15N120B
Hersteller-Teilenummer IXSP15N120B Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller IXYS Corporation Beschreibung IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
Paket / Fall Bulk Verfügbare Menge 2641 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 15A
Testbedingung 960V, 15A, 10 Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/148ns
Schaltenergie 1.75mJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie - Leistung - max 150W
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Eingabetyp Standard IGBT-Typ -
Gate-Ladung 57nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 60A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 30A IXSP15N120B Einzelheiten PDF [English] IXSP15N120B PDF - EN.pdf
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