| IXSQ20N60B2D1 | |
|---|---|
| Artikelnummer | IXSQ20N60B2D1 |
| Hersteller | IXYS Corporation |
| Beschreibung | IGBT 600V 35A 190W TO3P |
| Verfügbare Menge | 2638 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von IXSQ20N60B2D1 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IXSQ20N60B2D1 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | IXYS Corporation | Beschreibung | IGBT 600V 35A 190W TO3P |
| Paket / Fall | Bulk | Verfügbare Menge | 2638 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V | VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 16A |
| Testbedingung | - | Td (ein / aus) bei 25 ° C | 30ns/116ns |
| Schaltenergie | 380µJ (off) | Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | - | Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30ns |
| Leistung - max | 190W | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | PT | Gate-Ladung | 33nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | - | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 35A |
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| IXSQ20N60B2D1-Komponenten | IXSQ20N60B2D1 Inventar | IXSQ20N60B2D1 Digikey | |||
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