TC58NYG2S0HBAI6 | |
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Artikelnummer | TC58NYG2S0HBAI6 |
Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
Beschreibung | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
Verfügbare Menge | 2804 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | TC58NYG2S0HBAI6.pdf |
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Technische Information von TC58NYG2S0HBAI6 | |||
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Hersteller-Teilenummer | TC58NYG2S0HBAI6 | Kategorie | Integrierte Schaltungen (ICs) |
Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. | Beschreibung | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
Paket / Fall | Tray | Verfügbare Menge | 2804 pcs |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 25ns | Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.95 V |
Technologie | FLASH - NAND (SLC) | Supplier Device-Gehäuse | 67-VFBGA (6.5x8) |
Serie | - | Verpackung | Tray |
Verpackung / Gehäuse | 67-VFBGA | Andere Namen | TC58NYG2S0HBAI6JDH TC58NYG2S0HBAI6YCL |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) | Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) | Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) | Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | FLASH | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) | Zugriffszeit | 25ns |
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