| TC58NYG0S3HBAI6 | |
|---|---|
| Artikelnummer | TC58NYG0S3HBAI6 |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Beschreibung | IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA |
| Verfügbare Menge | 2982 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von TC58NYG0S3HBAI6 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | TC58NYG0S3HBAI6 | Kategorie | Integrierte Schaltungen (ICs) |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. | Beschreibung | IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA |
| Paket / Fall | Tray | Verfügbare Menge | 2982 pcs |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 25ns | Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) | Supplier Device-Gehäuse | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Serie | - | Verpackung | Tray |
| Verpackung / Gehäuse | 67-VFBGA | Andere Namen | TC58NYG0S3HBAI6JAH TC58NYG0S3HBAI6JDH |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) | Speichertyp | Non-Volatile |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) | Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | FLASH | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) | Zugriffszeit | 25ns |
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| Zugehörige Teile für TC58NYG0S3HBAI6 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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