TK4R4P06PL,RQ
Artikelnummer TK4R4P06PL,RQ
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
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Technische Information von TK4R4P06PL,RQ
Hersteller-Teilenummer TK4R4P06PL,RQ Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Paket / Fall Digi-Reel® Verfügbare Menge 2614 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse DPAK
Serie U-MOSIX-H Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 29A, 10V
Verlustleistung (max) 87W (Tc) Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Andere Namen TK4R4P06PLRQDKR
Betriebstemperatur 175°C Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3280pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.2nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)
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