DTC323TUT106
Artikelnummer DTC323TUT106
Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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Technische Information von DTC323TUT106
Hersteller-Teilenummer DTC323TUT106 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller LAPIS Semiconductor Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 6273 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse UMT3
Serie - Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) -
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 2.2k Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 200MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 50mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600mA DTC323TUT106 Einzelheiten PDF [English] DTC323TUT106 PDF - EN.pdf
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