DTC115TUAT106
Artikelnummer DTC115TUAT106
Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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Technische Information von DTC115TUAT106
Hersteller-Teilenummer DTC115TUAT106 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller LAPIS Semiconductor Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 3059 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse UMT3
Serie - Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) -
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 100k Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 250MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA DTC115TUAT106 Einzelheiten PDF [English] DTC115TUAT106 PDF - EN.pdf
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