IXTH160N15T
Artikelnummer IXTH160N15T
Hersteller IXYS Corporation
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
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Technische Information von IXTH160N15T
Hersteller-Teilenummer IXTH160N15T Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller IXYS Corporation Beschreibung MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 5800 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) Serie TrenchHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6 mOhm @ 500mA, 10V Verlustleistung (max) 830W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8800pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)
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