| IXST35N120B | |
|---|---|
| Artikelnummer | IXST35N120B |
| Hersteller | IXYS Corporation |
| Beschreibung | IGBT 1200V 70A 300W TO268 |
| Verfügbare Menge | 2680 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von IXST35N120B | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IXST35N120B | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | IXYS Corporation | Beschreibung | IGBT 1200V 70A 300W TO268 |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 2680 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V | VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 35A |
| Testbedingung | 960V, 35A, 5 Ohm, 15V | Td (ein / aus) bei 25 ° C | 36ns/160ns |
| Schaltenergie | 5mJ (off) | Supplier Device-Gehäuse | TO-268 |
| Serie | - | Leistung - max | 300W |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard | IGBT-Typ | PT |
| Gate-Ladung | 120nC | Strom - Collector Pulsed (Icm) | 140A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 70A | IXST35N120B Einzelheiten PDF [English] | IXST35N120B PDF - EN.pdf |
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