IXGH32N60B
Artikelnummer IXGH32N60B
Hersteller IXYS Corporation
Beschreibung IGBT 600V 60A 200W TO247AD
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Technische Information von IXGH32N60B
Hersteller-Teilenummer IXGH32N60B Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller IXYS Corporation Beschreibung IGBT 600V 60A 200W TO247AD
Paket / Fall Bulk Verfügbare Menge 8431 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 32A
Testbedingung 480V, 32A, 4.7 Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 25ns/100ns
Schaltenergie 800µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXGH)
Serie HiPerFAST™ Leistung - max 200W
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Eingabetyp Standard IGBT-Typ -
Gate-Ladung 125nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 60A IXGH32N60B Einzelheiten PDF [English] IXGH32N60B PDF - EN.pdf
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