| IXFN40N90P | |
|---|---|
| Artikelnummer | IXFN40N90P |
| Hersteller | IXYS Corporation |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| Verfügbare Menge | 5134 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von IXFN40N90P | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IXFN40N90P | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | IXYS Corporation | Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 5134 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-227B | Serie | Polar™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 20A, 10V | Verlustleistung (max) | 695W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 33A |
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