IXBH42N170A
Artikelnummer IXBH42N170A
Hersteller IXYS Corporation
Beschreibung IGBT 1700V 42A 357W TO247
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Technische Information von IXBH42N170A
Hersteller-Teilenummer IXBH42N170A Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller IXYS Corporation Beschreibung IGBT 1700V 42A 357W TO247
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 2931 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1700V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 21A
Testbedingung 850V, 21A, 1 Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 19ns/200ns
Schaltenergie 3.43mJ (on), 430µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXBH)
Serie BIMOSFET™ Rückwärts-Erholzeit (Trr) 330ns
Leistung - max 357W Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Eingabetyp Standard
IGBT-Typ - Gate-Ladung 188nC
Strom - Collector Pulsed (Icm) 265A Strom - Kollektor (Ic) (max) 42A
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