| IRF6722STR1PBF | |
|---|---|
| Artikelnummer | IRF6722STR1PBF |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| Verfügbare Menge | 2801 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von IRF6722STR1PBF | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | IRF6722STR1PBF | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2801 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ ST | Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 13A, 10V | Verlustleistung (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric ST |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1320pF @ 15V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 58A (Tc) |
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| Zugehörige Teile für IRF6722STR1PBF | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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