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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel IPP60R160C6
IPP60R160C6
Artikelnummer IPP60R160C6
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung IPP60R160C6 Infineon Technologies
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IPP60R160C6
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Technische Information von IPP60R160C6
Hersteller-Teilenummer IPP60R160C6 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung IPP60R160C6 Infineon Technologies
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 18709 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 750µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO-220-3
Serie CoolMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 11.3A, 10V
Verlustleistung (max) 176W (Tc) Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1660pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23.8A (Tc)
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