| BSC030P03NS3 G | |
|---|---|
| Artikelnummer | BSC030P03NS3 G |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8 |
| Verfügbare Menge | 2602 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | BSC030P03NS3 G.pdf |
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| BSC030P03NS3 G Price |
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| Technische Information von BSC030P03NS3 G | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | BSC030P03NS3 G | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | International Rectifier (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8 |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2602 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 345µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8 |
| Serie | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25.4A (Ta), 100A (Tc) |
| BSC030P03NS3 G Einzelheiten PDF [English] | BSC030P03NS3 G PDF - EN.pdf | ||
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| BSC030P03NS3 G-Lager | BSC030P03NS3 G Preis | BSC030P03NS3 G-Elektronik | |||
| BSC030P03NS3 G-Komponenten | BSC030P03NS3 G Inventar | BSC030P03NS3 G Digikey | |||
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| BSC030P03NS3 G Datenblatt | BSC030P03NS3 G Datenblatt herunterladen | Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies) | |||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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