SGW10N60RUFDTM
Artikelnummer SGW10N60RUFDTM
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung IGBT 600V 16A 75W D2PAK
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Technische Information von SGW10N60RUFDTM
Hersteller-Teilenummer SGW10N60RUFDTM Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung IGBT 600V 16A 75W D2PAK
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 2954 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A
Testbedingung 300V, 10A, 20 Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/36ns
Schaltenergie 141µJ (on), 215µJ (off) Supplier Device-Gehäuse D²PAK
Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 60ns
Leistung - max 75W Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabetyp Standard
IGBT-Typ - Gate-Ladung 30nC
detaillierte Beschreibung IGBT 600V 16A 75W Surface Mount D²PAK Strom - Collector Pulsed (Icm) 30A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 16A Basisteilenummer SG*10N60
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