| NGTD20T120F2WP | |
|---|---|
| Artikelnummer | NGTD20T120F2WP |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreibung | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
| Verfügbare Menge | 2515 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | NGTD20T120F2WP.pdf |
| Herunterladen | NGTD20T120F2WP Einzelheiten PDF |
| NGTD20T120F2WP Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische Information von NGTD20T120F2WP | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | NGTD20T120F2WP | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreibung | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
| Paket / Fall | Bulk | Verfügbare Menge | 2515 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200V | VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Testbedingung | - | Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
| Schaltenergie | - | Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Serie | - | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | Die | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop | detaillierte Beschreibung | IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 100A | NGTD20T120F2WP Einzelheiten PDF [English] | NGTD20T120F2WP PDF - EN.pdf |
| Herunterladen | NGTD20T120F2WP Einzelheiten PDF | ||
Mailen Sie uns: Info@Ariat-Tech.com oder RFQ NGTD20T120F2WP Online.
| NGTD20T120F2WP-Lager | NGTD20T120F2WP Preis | NGTD20T120F2WP-Elektronik | |||
| NGTD20T120F2WP-Komponenten | NGTD20T120F2WP Inventar | NGTD20T120F2WP Digikey | |||
| Lieferant NGTD20T120F2WP | NGTD20T120F2WP online bestellen | Anfrage NGTD20T120F2WP | |||
| NGTD20T120F2WP-Bild | NGTD20T120F2WP Bild | NGTD20T120F2WP PDF | |||
| NGTD20T120F2WP Datenblatt | NGTD20T120F2WP Datenblatt herunterladen | Hersteller | |||
| Zugehörige Teile für NGTD20T120F2WP | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
 |
NGTD15R65F2WP | DIODE GEN PURP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD23T120F2WP | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD5R65F2WP | DIODE GEN PURP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD17T65F2SWK | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD28T65F2WP | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD17R120F2SWK | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD15R65F2SWK | DIODE GEN PURP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD30T120F2WP | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD21T65F2WP | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD17R120F2WP | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD28T65F2SWK | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD13T65F2WP | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD23T120F2SWK | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD20T120F2SWK | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD21T65F2SWK | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD14T65F2SWK | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD17T65F2WP | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD30T120F2SWK | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD5R65F2SWK | DIODE GEN PURP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NGTD14T65F2WP | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
Nachrichten
Mehr
Wenn die technologische Fortschritte und das Informationsalter eintreffen, verändern optische Netzwerke, eine effiziente und zuverlässige Datenüber...
Es berichtete am 16. April, dass laut "Global Semiconductor Equipment Market Report", das kürzlich von der Halbleiter-Industrieorganisation SEMI, im ...
Die schwedische Gewerkschaft, wenn Metall am 10. April bekannt gab, dass der Streik der Tesla -Mechanik eine der längsten Arbeitskräfte des Landes i...
In jüngster Zeit haben große Speicherhersteller wie Micron, Samsung und Western Digital Preiserhöhungen angekündigt.Branchenkenner geben an, dass ...
In der Luft beträgt der normale Volumenanteil des Sauerstoffgehalts etwa 20,9%, aber wenn der Sauerstoffgehalt unter diesen Wert fällt, kann dies zu...
Neue Produkte
Mehr
PD30 Serie Photoelektrischer Sensor Die Miniatur-Lichtschranken von Carlo Gavazzi sind leistungsstar...
XC112 / XR112 Evaluierungskit für das gepulste kohärente Radar A111 Acconeers XC112 und XR112 Eval...
MINAS A6-Serie Servoantriebe und Motoren Panasonics MINAS A6-Familie gewährleistet einen stabilen B...
UV-LED-Treiberplatine RayVios UV-LED-Treiberplatine für XE- und XP1-UV-C-Emitter RayVios ultravio...
Industrieller und erweiterter Test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM-Bausteine garantieren den Betri...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.
Copyright-Hinweis © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alle Rechte vorbehalten.