MMUN2232LT1G
Artikelnummer MMUN2232LT1G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
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Technische Information von MMUN2232LT1G
Hersteller-Teilenummer MMUN2232LT1G Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 39448 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Leistung - max 246mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen MMUN2232LT1GOS
MMUN2232LT1GOS-ND
MMUN2232LT1GOSTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 15 @ 5mA, 10V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer MMUN22**L
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