FGP5N60LS
Artikelnummer FGP5N60LS
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung IGBT 600V 10A 83W TO220
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Technische Information von FGP5N60LS
Hersteller-Teilenummer FGP5N60LS Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung IGBT 600V 10A 83W TO220
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 2578 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 12V, 14A
Testbedingung 400V, 5A, 10 Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 4.3ns/36ns
Schaltenergie 38µJ (on), 130µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3
Serie - Leistung - max 83W
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 44 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabetyp Standard
IGBT-Typ Field Stop Gate-Ladung 18.3nC
detaillierte Beschreibung IGBT Field Stop 600V 10A 83W Through Hole TO-220-3 Strom - Collector Pulsed (Icm) 36A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10A FGP5N60LS Einzelheiten PDF [English] FGP5N60LS PDF - EN.pdf
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