IXYS Corporation
IXYS Corporation

- Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs.

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Part Number

Description

ECAD
Model

Quote

THYRISTOR PHASE 800V TO-220AB

MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263

MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA

MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B

MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220

DIODE MODULE 1.2KV 113A TO240AA

DIODE ARRAY SCHOTTKY 250V TO220

200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

MOSFET N-CH 200V 120A TO-264

MOSFET N-CH 500V 60A TO247

RECT BRIDGE 3PH 88A 1800V PWS-D

DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263

MOSFET P-CH 100V 76A TO-247

MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK

IGBT 1700V 16A 190W TO268

DIODE MODULE 1.6KV 310A Y1-CU

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247

IC MOSFET DVR RF 30A LOW DCB

IGBT 1200V 20A 85W TO247

MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA

RECT BRIDGE 1PH 1400V FO-F-A

MOSFET N-CH 175V 150A TO-247

MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

RECT BRIDGE 3PH 88A 1200V PWS-D

IGBT 1200V 30A 150W TO268

300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

MOSFET P-CH 100V 50A TO-268

IGBT 1700V 75A 350W TO268

IC MOSF DRIVER FAST DUAL 8-DIP

MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247

MOD THYRISTOR/DIO 1800V TO-240AA

THYRISTOR PHASE 1400V ISOPLUS247

MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227

IGBT 600V 35A 190W TO247

MOSFET N-CH 200V 110A TO-264

IGBT 600V 40A 150W TO247AD

IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC

MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264

MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB

MOSFET N-CH 80V 80A TO-268

MOSFET N-CH 150V 80A TO-268

MOSFET N-CH 100V 160A TO-247

MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

RECT BRIDGE 3PH 58A 1600V FO-F-B

MOSFET N-CH 100V 320A TO-26

MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD

IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE

Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.