IXYS Corporation
IXYS Corporation

- Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs.

Image

Part Number

Description

ECAD
Model

Quote

IGBT 650V 30A 160W TO220

500V POLAR2 HIPERFETS

DIODE MODULE 600V 60A ECO-PAC1

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247

MOSFET N-CH 300V 140A TO-264

MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

MOSFET N-CH 650V 32A TO-247

DIODE AVALANCHE 1.6KV 11A DO203

MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P

MOD THYRISTOR DUAL 800V TO-240AA

MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

IGBT 600V 56A 190W TO247

IGBT 300V 223W TO220AB

MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220

DIODE MODULE 100V 160A SOT227B

IGBT 650V 160A 625W TO247AD

MOSFET N-CH 500V 52A TO268

MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P

MOSFET N-CH 75V 220A TO-220

MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264

RECT BRIDGE 3PH 25A 1600V FO-B

MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK

MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B

DIODE GEN PURP 1600V 10A TO220AC

MOD THYRISTOR DUAL 800V TO-240AA

DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB

MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7

IGBT 1200V 70A 300W TO268

MOSFET N-CH 500V 15A TO-220

SCR PHASE CONTROL 1400V 60A TO65

IGBT 1200V 38A 200W TO263AB

IGBT 270V 90A 150W TO3P

MODULE AC CONTROL 1400V ECO-PAC2

MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B

IC GATE DRIVER SGL 14A 8-DIP

850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS

MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247

SOLARMD HI-EFF 230X160X17MM

MOSFET N-CH 300V 108A TO-264

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD

SCR PHASE CONTROL 800V 60A TO-65

DIODE MODULE 45V 60A SOT227B

MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD

200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC

MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD

IGBT 600V 75A 400W TO264

Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.