SI5908DC-T1-GE3 | |
---|---|
Artikelnummer | SI5908DC-T1-GE3 |
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
Verfügbare Menge | 3474 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | |
Herunterladen | SI5908DC-T1-GE3 Einzelheiten PDF |
SI5908DC-T1-GE3 Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
Technische Information von SI5908DC-T1-GE3 | |||
---|---|---|---|
Hersteller-Teilenummer | SI5908DC-T1-GE3 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 3474 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Leistung - max | 1.1W | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V | Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A | SI5908DC-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI5908DC-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
Herunterladen | SI5908DC-T1-GE3 Einzelheiten PDF |
SI5908DC-T1-GE3-Lager | SI5908DC-T1-GE3 Preis | SI5908DC-T1-GE3-Elektronik |
SI5908DC-T1-GE3-Komponenten | SI5908DC-T1-GE3 Inventar | SI5908DC-T1-GE3 Digikey |
Lieferant SI5908DC-T1-GE3 | SI5908DC-T1-GE3 online bestellen | Anfrage SI5908DC-T1-GE3 |
SI5908DC-T1-GE3-Bild | SI5908DC-T1-GE3 Bild | SI5908DC-T1-GE3 PDF |
SI5908DC-T1-GE3 Datenblatt | SI5908DC-T1-GE3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix |
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.