| SI4814BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI4814BDY-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC |
| Verfügbare Menge | 2517 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von SI4814BDY-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SI4814BDY-T1-GE3 | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2517 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | LITTLE FOOT® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V |
| Leistung - max | 3.3W, 3.5W | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V | Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A, 10.5A | SI4814BDY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4814BDY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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| SI4814BDY-T1-GE3 Datenblatt | SI4814BDY-T1-GE3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix | |||
| Zugehörige Teile für SI4814BDY-T1-GE3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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SI4814DY | SI4814DY VISHAY | VISHAY | ||
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SI4814DY-T1-E3 MOS | VBSEMI SOP-8 | VBSEMI | ||
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SI4814BDY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI4814DY-TI-E3 | VLSHAY SOP-8 | VLSHAY | ||
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SI4816BDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI4814BDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | Vishay Siliconix | ||
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SI4814BDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI4812DY-T1-E3 MOS | VBSEMI SOIC-8 | VBSEMI | ||
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