SI4567DY-T1-GE3
Artikelnummer SI4567DY-T1-GE3
Hersteller Vishay / Siliconix
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
Verfügbare Menge 2552 pcs new original in stock.
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Technische Information von SI4567DY-T1-GE3
Hersteller-Teilenummer SI4567DY-T1-GE3 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Vishay / Siliconix Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 2552 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4.1A, 10V
Leistung - max 2.75W, 2.95W Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Typ FET N and P-Channel
FET-Merkmal Standard Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A, 4.4A SI4567DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SI4567DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf
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