U3B-E3/9AT
Artikelnummer U3B-E3/9AT
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AB
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Technische Information von U3B-E3/9AT
Hersteller-Teilenummer U3B-E3/9AT Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AB
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 2576 pcs
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 900mV @ 3A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100V
Supplier Device-Gehäuse DO-214AB, (SMC) Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 20ns
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse DO-214AB, SMC
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount
Diodentyp Standard Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10µA @ 100V
Strom - Richt (Io) 2A Kapazität @ Vr, F -
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