TK8A65D(STA4,Q,M)
Artikelnummer TK8A65D(STA4,Q,M)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
Verfügbare Menge 2686 pcs new original in stock.
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Technische Information von TK8A65D(STA4,Q,M)
Hersteller-Teilenummer TK8A65D(STA4,Q,M) Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Beschreibung MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
Paket / Fall Bulk Verfügbare Menge 2686 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220SIS
Serie π-MOSVII Rds On (Max) @ Id, Vgs 840 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta)
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