| TK8A10K3,S5Q | |
|---|---|
| Artikelnummer | TK8A10K3,S5Q |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS |
| Verfügbare Menge | 2553 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | TK8A10K3,S5Q.pdf |
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| TK8A10K3,S5Q Price |
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| Technische Information von TK8A10K3,S5Q | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | TK8A10K3,S5Q | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS |
| Paket / Fall | Tube | Verfügbare Menge | 2553 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-220SIS |
| Serie | U-MOSIV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 18W (Tc) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.9nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
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| TK8A10K3,S5Q-Komponenten | TK8A10K3,S5Q Inventar | TK8A10K3,S5Q Digikey | |||
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| Zugehörige Teile für TK8A10K3,S5Q | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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TK8A10K3 MOS | TOSHIBA TO-220F | TOSHIBA | ||
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