TK80S04K3L(T6L1,NQ
Artikelnummer TK80S04K3L(T6L1,NQ
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
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Technische Information von TK80S04K3L(T6L1,NQ
Hersteller-Teilenummer TK80S04K3L(T6L1,NQ Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Beschreibung MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 2678 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK+ Serie U-MOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 40A, 10V Verlustleistung (max) 100W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Ta)
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