| RN2104MFV,L3F | |
|---|---|
| Artikelnummer | RN2104MFV,L3F |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM |
| Verfügbare Menge | 2585 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | RN2104MFV,L3F.pdf |
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| RN2104MFV,L3F Price |
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| Technische Information von RN2104MFV,L3F | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | RN2104MFV,L3F | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2585 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | VESM |
| Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms | Leistung - max | 150mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SOT-723 |
| Andere Namen | RN2104MFVL3F | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 250MHz | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | RN2104MFV,L3F Einzelheiten PDF [English] | RN2104MFV,L3F PDF - EN.pdf |
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| RN2104MFV,L3F Datenblatt | RN2104MFV,L3F Datenblatt herunterladen | Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage | |||
| Zugehörige Teile für RN2104MFV,L3F | |||||
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