| RN1908FE(TE85L,F) | |
|---|---|
| Artikelnummer | RN1908FE(TE85L,F) |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Verfügbare Menge | 2507 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von RN1908FE(TE85L,F) | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | RN1908FE(TE85L,F) | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2507 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | ES6 |
| Serie | - | Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) | 47k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm) | 22k | Leistung - max | 100mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Befestigungsart | Surface Mount | Frequenz - Übergang | 250MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | RN1908FE(TE85L,F) Einzelheiten PDF [English] | RN1908FE(TE85L,F) PDF - EN.pdf |
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| RN1908FE(TE85L,F) Datenblatt | RN1908FE(TE85L,F) Datenblatt herunterladen | Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage | |||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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