| 2SK1070PICTL-E | |
|---|---|
| Artikelnummer | 2SK1070PICTL-E |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc |
| Beschreibung | JFET N-CH 22V 50MA 3MPAK |
| Verfügbare Menge | 9058 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| Datenblätter | 1.2SK1070PICTL-E.pdf2.2SK1070PICTL-E.pdf3.2SK1070PICTL-E.pdf |
| Herunterladen | 2SK1070PICTL-E Einzelheiten PDF |
| 2SK1070PICTL-E Price |
Preis und Lieferzeit online anfordern or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technische Information von 2SK1070PICTL-E | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | 2SK1070PICTL-E | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Hersteller | Renesas Electronics Corporation | Beschreibung | JFET N-CH 22V 50MA 3MPAK |
| Paket / Fall | 3-MPAK | Verfügbare Menge | 9058 pcs |
| Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id | 0 V @ 10 µA | Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | 22 V |
| Supplier Device-Gehäuse | 3-MPAK | Serie | - |
| Produktstatus | Obsolete | Leistung - max | 150 mW |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C | Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 5V | Typ FET | N-Channel |
| Aktuelle Drain (Id) - Max | 50 mA | Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) | 12 mA @ 5 V |
| 2SK1070PICTL-E Einzelheiten PDF [English] | 2SK1070PICTL-E PDF - EN.pdf | ||
| Herunterladen | 2SK1070PICTL-E Einzelheiten PDF | ||
2SK1070PICTL-E
N-Kanal JFET-Transistor, der für elektronische Schaltanwendungen entwickelt wurde.
Renesas Electronics America
N-Kanal JFET, hohe Eingangsimpedanz, niedriger Einschaltwiderstand.
Durchbruchsspannung: 22 V, kontinuierlicher Abflussstrom: 12 mA bei 5 V, maximaler Abflussstrom: 50 mA, Spannungssperre: 0 V bei 10 µA, Eingangskapazität: 9pF bei 5V, maximale Verlustleistung: 150 mW, hohe Betriebstemperaturgrenze von 150°C.
FET-Typ: N-Kanal, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 22 V, Strom - Abfluss (Idss): 12 mA @ 5 V, maximaler Abflussstrom (Id) - Max: 50 mA, Spannung - Sperre (VGS off) @ Id: 0 V @ 10 µA, Eingangskapazität (Ciss) (Max): 9pF @ 5V, maximale Leistung: 150 mW.
Montageart: Oberflächenmontage, Gehäuse: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Liefergerätepaket: 3-MPAK.
Der Hersteller Renesas ist für hohe Standards in Qualität und Zuverlässigkeit bekannt.
Hohe Betriebstemperaturfähigkeit, kompaktes Gehäuse ideal für platzkritische Anwendungen.
Obsoleszenzprodukt, bietet jedoch zuverlässige Leistung in vorhandenen Systemen.
Kompatibel mit Oberflächenmontagetechnologie und standardmäßigen elektronischen Schaltungen.
Einhaltung der branchenüblichen Standardspezifikationen (Details nicht angegeben).
Langfristige Haltbarkeit unter ordnungsgemäßen Arbeitsbedingungen (spezifische Lebensdauerdetails nicht angegeben).
Elektronisches Schalten, Signalverarbeitung, analoge Schaltungsanwendungen.
| 2SK1070PICTL-E-Lager | 2SK1070PICTL-E Preis | 2SK1070PICTL-E-Elektronik | |||
| 2SK1070PICTL-E-Komponenten | 2SK1070PICTL-E Inventar | 2SK1070PICTL-E Digikey | |||
| Lieferant 2SK1070PICTL-E | 2SK1070PICTL-E online bestellen | Anfrage 2SK1070PICTL-E | |||
| 2SK1070PICTL-E-Bild | 2SK1070PICTL-E Bild | 2SK1070PICTL-E PDF | |||
| 2SK1070PICTL-E Datenblatt | 2SK1070PICTL-E Datenblatt herunterladen | Hersteller Renesas Electronics Corporation | |||
| Zugehörige Teile für 2SK1070PICTL-E | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
![]() |
2SK1070PID | 2SK1070PID RENESAS | RENESAS | ||
![]() |
2SK1070 | 2SK1070 RENESAS | RENESAS | ||
![]() |
2SK1070PICTL | 2SK1070PICTL RENESAS | RENESAS | ||
| 2SK1067-4-TL | 2SK1067-4-TL SANYO | SANYO | |||
![]() |
2SK1070PIETL | 2SK1070PIETL RENESAS | RENESAS | ||
![]() |
2SK1070PIDTL-E | JFET N-CH 22V 50MA 3MPAK | Renesas Electronics America Inc | ||
| 2SK1069-5-TL-E | JFET N-CH 40V 20MA 3MCPH | onsemi | |||
| 2SK1067-4-TR | SANYO SOT-323 | SANYO | |||
| 2SK1069 | 2SK1069 SANYO | SANYO | |||
| 2SK1069-4-TL-E | N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET | onsemi | |||
| 2SK1068 | 2SK1068 SANYO | SANYO | |||
![]() |
2SK1070PIDTL | 2SK1070PIDTL HITACHI | RENESAS | ||
![]() |
2SK1070PIETL-E | JFET N-CH 22V 50MA 3MPAK | Renesas Electronics America Inc | ||
![]() |
2SK1070PIETR-E | JFET N-CH 22V 50MA 3MPAK | Renesas Electronics America Inc | ||
![]() |
2SK1070PID-TL-E | 2SK1070PID-TL-E RENESAS | RENESAS | ||
| 2SK1068-TL | 2SK1068-TL SANYO | SANYO | |||
| 2SK1068-11-TL | SANYO SOT323 | SANYO | |||
![]() |
2SK1070PIETR | RENESAS SOT23-3 | RENESAS | ||
![]() |
2SK1070PIETR-EQ | 2SK1070PIETR-EQ RENESAS | RENESAS | ||
![]() |
2SK1073 K1073 | PANASONIC TO-220F | PANASONIC | ||
Nachrichten
Mehr
Am 19. April 2026 (Ortszeit) enthüllten Medienberichte unter Berufung auf mit der Angelegenheit vertraute Quellen, dass Google, eine Tochtergesellsch...

Laut *The Business Times* begann die CoPoS-Pilotproduktionslinie (Chip-on-Panel-on-Substrate) von TSMC im Februar mit der Auslieferung von Geräten an...

Am 6. April Ortszeit gab der US-amerikanische Technologieriese für künstliche Intelligenz (KI) Anthropic bekannt, dass er eine neue Vereinbarung mit...

Am 1. April kündigte Microsoft an, 5,5 Milliarden US-Dollar in Singapur zu investieren, um seine Cloud- und künstliche Intelligenz (KI)-Infrastruktu...

Samsung Electronics wird das erste Unternehmen sein, das sein HBM4 der nächsten Generation exklusiv an OpenAI liefert, das weltweit größte Unterneh...
Neue Produkte
Mehr
Renesas Electronics RA8M1 ARM® Cortex®-M85-Mikrocontroller (MCUs) sind leistungsstarke MCUs, die auf dem ARM-Cortex-M85-Kern mit Helium für recheni...

Renesas Electronics RA8D1 ARM® Cortex®-M85 MCUs sind Hochleistungsgrafiken MCUs, die auf dem ARM® Cortex®-M85-Kern mit Helium für rechenintensive...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.