PDTD123ES,126
Artikelnummer PDTD123ES,126
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
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Technische Information von PDTD123ES,126
Hersteller-Teilenummer PDTD123ES,126 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Paket / Fall Tape & Box (TB) Verfügbare Menge 2508 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse TO-92-3
Serie - Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 2.2k Leistung - max 500mW
Verpackung Tape & Box (TB) Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Befestigungsart Through Hole Frequenz - Übergang -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 50mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA PDTD123ES,126 Einzelheiten PDF [English] PDTD123ES,126 PDF - EN.pdf
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