PMDXB950UPE
Artikelnummer PMDXB950UPE
Hersteller Nexperia
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
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Technische Information von PMDXB950UPE
Hersteller-Teilenummer PMDXB950UPE Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Nexperia Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Paket / Fall Tape & Reel (TR) Verfügbare Menge 4925 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Supplier Device-Gehäuse 6-DFN (1.1x1)
Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Leistung - max 265mW Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-XFDFN Exposed Pad Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Typ FET 2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA PMDXB950UPE Einzelheiten PDF [English] PMDXB950UPE PDF - EN.pdf
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