JAN2N3019
Artikelnummer JAN2N3019
Hersteller Microsemi
Beschreibung TRANS NPN 80V 1A TO39
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Technische Information von JAN2N3019
Hersteller-Teilenummer JAN2N3019 Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Microsemi Beschreibung TRANS NPN 80V 1A TO39
Paket / Fall Bulk Verfügbare Menge 2576 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ NPN Supplier Device-Gehäuse TO-39
Serie Military, MIL-PRF-19500/391 Leistung - max 800mW
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Frequenz - Übergang - DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 500mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 1A
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