APTM120DA30T1G |Microsemi Corporation |Ariat-Tech -Elektronikkomponentenverteiler

Electronics Components Distributor

APTM120DA30T1G
Artikelnummer	APTM120DA30T1G
Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Verfügbare Menge	2573 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage
ECAD -Modell
Datenblätter	APTM120DA30T1G.pdf
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Technische Information von APTM120DA30T1G
Hersteller-Teilenummer	APTM120DA30T1G	Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller	Microsemi	Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Paket / Fall	Bulk	Verfügbare Menge	2573 pcs
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SP1	Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 25A, 10V	Verlustleistung (max)	657W (Tc)
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	SP1
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	14560pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	31A
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