APT30F50B
Artikelnummer APT30F50B
Hersteller Microsemi
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
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Technische Information von APT30F50B
Hersteller-Teilenummer APT30F50B Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Microsemi Beschreibung MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Paket / Fall Tube Verfügbare Menge 3037 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]
Serie POWER MOS 8™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max) 415W (Tc) Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4525pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)
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