APT12067B2LLG
Artikelnummer APT12067B2LLG
Hersteller Microsemi
Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
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Technische Information von APT12067B2LLG
Hersteller-Teilenummer APT12067B2LLG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Microsemi Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Paket / Fall Bulk Verfügbare Menge 2682 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2] Serie POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670 mOhm @ 9A, 10V Verlustleistung (max) 565W (Tc)
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4420pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)
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