APL1001J
Artikelnummer APL1001J
Hersteller Microsemi
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
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Technische Information von APL1001J
Hersteller-Teilenummer APL1001J Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
Hersteller Microsemi Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
Paket / Fall IGBT Module Verfügbare Menge 2014 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®
Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max) 520W (Tc) Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A
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