APL1001J | |
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Artikelnummer | APL1001J |
Hersteller | Microsemi |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227 |
Verfügbare Menge | 2014 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | |
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Technische Information von APL1001J | |||
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Hersteller-Teilenummer | APL1001J | Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Hersteller | Microsemi | Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227 |
Paket / Fall | IGBT Module | Verfügbare Menge | 2014 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA | Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | ISOTOP® |
Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 520W (Tc) | Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A |
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APL1001J-Lager | APL1001J Preis | APL1001J-Elektronik | |||
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Zugehörige Teile für APL1001J | |||||
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