| MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR | |
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| Artikelnummer | MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Beschreibung | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA |
| Verfügbare Menge | 14120 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| Datenblätter | 1.MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR.pdf2.MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR.pdf |
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| Technische Information von MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
| Hersteller | Micron Technology | Beschreibung | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA |
| Paket / Fall | 200-VFBGA (10x14.5) | Verfügbare Menge | 14120 pcs |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - | Spannungsversorgung | 1.1V |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 | Supplier Device-Gehäuse | 200-VFBGA (10x14.5) |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 | Verpackung / Gehäuse | 200-VFBGA |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 32Gbit | Speicherorganisation | 1G x 32 |
| Speicherschnittstelle | - | Speicherformat | DRAM |
| Uhrfrequenz | 2.133 GHz | Grundproduktnummer | MT53D1024 |
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